當前位置：首頁 > 產品中心 > > CMP 晶圓減薄拋光 > 6EZ-SIC拋光機
產品分類
Product Category相關文章
Related Articles詳細介紹
6EZ晶圓載具設計的優(yōu)勢：
·Revasum擁有多年研磨和拋光超硬材料（如SiC）的經驗
·6EZ SiC拋光機是市場上僅有的一款專門為拋光SiC基片而設計的SiC CMP工具
·競爭對手的拋光機基本上是為拋光硅集成電路而設計的，這有一套非常不同的要求
·6EZ與其競爭對手之間最重要的區(qū)別在于晶圓載具的設計
布局和功能：
綜合清潔站
·向晶圓的上表面和下表面分配1或2中清潔化學品
·高壓噴淋棒（10psi）
晶圓翻轉
·濕式機器人實現雙面拋光
濕式轉運站
·DIW和化學沖洗
三臺200rpm拋光臺，帶拋光臺和拋光墊冷卻（5ºC）
·專用載體、護墊調節(jié)劑和護墊清潔劑
·兩種漿料的流量控制器
·每張桌上的化學清潔劑（第三種漿料可選）
漿料分配臂
調節(jié)臂和盤片
優(yōu)化晶圓載體
·基于經驗證的ViPRR技術的設計
晶圓處理
·全自動C2C晶圓
·邊緣抓握干式機器人搬運
·最多50片晶圓，無需操作員干預
晶圓載體對照表
| 項目 | 6EZ(板＋萬向節(jié)) | 競爭對手(薄膜) | 影響 |
| 晶圓載體設計 | 板+萬向節(jié)設計(適用于SiC) | 基于膜的設計(適用于硅薄膜) | 6EZ從頭開始為SiC設計 |
| 拋光下壓力 | 更高的"拋光下壓力"(設計強勁，無RR力) | 較低的"拋光下壓力"(薄膜較弱，RR力降低拋光力) | MRR |
| 可靠性 | 穩(wěn)健設計，可靠性高 | 膜可能會意外失效（破裂） | 正常運行時間，成本（膜成本高） |
| 扣環(huán)設計 | 扣環(huán)不接觸拋光墊；沒有晶圓溢出 | 扣環(huán)上的下壓力較大(需要保持晶圓) | |
| 下壓力 | 更高的"拋光下壓力"(100%的力用于晶圓) | 較低的"拋光力"(超過RR所用力的一半) | MRR |
| 扣環(huán)磨損 | 襯墊上最小的RR磨損可延長實用壽命 | 高RR磨損率降低使用壽命 | 正常運行時間，成本 |
| 襯墊磨損 | 延長極板壽命 | RR摩擦縮短襯墊壽命 | 正常運行時間，成本 |
| 襯墊調節(jié) | 所需的襯墊調節(jié)時間更短 | 需要更多的襯墊調節(jié)時間 | 正常運行時間，成本 |
| 熱量產生 | 扣環(huán)摩擦不會產生熱量 | 必須清除擋圈摩擦產生的熱量 | 薄膜設計具有更高的襯墊過熱風險(工藝風險) |
| 區(qū)域控制 | 晶圓上的2個區(qū)域，可調節(jié) | 晶圓上的2個區(qū)域，可調節(jié) |
產品咨詢
